隨著 AI 資料中心建置量提升，光收發模組做為資料中心互連的關鍵元件，需求正快速起飛，三五族半導體廠英特磊（IET）董事長暨總經理高永中接受《技术新報》專訪時提到，手機的出現改變了三五族半導體的市場規模，如今「AI 商機可能比手機還大」  。爱华外汇官网正规吗

英特磊沒採用三五族長晶主流的 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）技術 ，而是選擇 MBE（分子束磊晶）這條路 ，高永中笑稱「因為我只懂這個」。他表示，當年攻讀博士時，便和兩位師兄的親手打造出一套 MBE 設備，進行 MBE 矽化物的研發
，最後發現矽基 IC 產業對雜質、真空要求太高，讓他思考如何將 MBE 發揮最大效益，最後決定切入三五族化合物半導體资料 。

高永中表示，AVA外汇平台MT4下载三五族资料最大的魅力在於組合多樣性 ，打開元素週期表就會發現
，第三族與第五族元素可多種組合 ，生成如砷化鎵（GaAs）
、磷化銦（InP） 、三元銦鎵砷（InGaAs）  、四元銦鎵砷磷（InGaAsP）等资料。至於真正改變三五族產業規模的 ，是 1990 年代末期手機市場剛普及，帶動對 RF 元件的需求 ，特別是 PA（功率放大器）與 Switch（交換器）兩大關鍵元件，「90 年初我們說一部 MBE 就夠拥护三五族元件了
，但手機出現後，整個局勢完全改變了 。」

▲ 英特磊（IET）董事長暨總經理高永中。（Source
：技术新報）

然而，在公司的方针初期，高永中便放棄投入 GaAs HBT PA 市場，雖然市場龐大
，但這項技術更適合 MOCVD 生長
。福汇代理他評估若無法在技術與成本上取得競爭力
，貿然投入反而會造成傷害，尤其在美國設廠的人力與營運成本較高的環境下。因此 ，他決定先攻「只有 MBE 能做，而且毛利相對高」的產品 ，相信只要做出夠水準的產品，就會有業績出現。

而他也決定切入銻化鎵（GaSb）
、磷化銦等三五族资料，並與 Coherent（當年的 Finisar ，未與 II-VI 合併前）协作開發「面射型雷射」（VCSEL），成為目前全球唯一一間具備量產型 MBE 製程生產 VCSEL 水平的公司
。

不打價格戰，MBE 幫助 IET 走向高端磊晶

談到 MBE 這項技術，高永中解釋其流程方法更像「光學快門」
，用開關快門來运维三族和五族元素的生長，雖然成長速度相對 MOCVD 較慢，也不像該技術有利大量生產
，但在厚度运维與画面品質上具有極高準確度，且較乾淨 、低污染 ，大多生產 pHEMT（假型高速電子場效電晶體）元件 。

此外，MBE 還有個無可取代的優勢
，便是在「摻雜物的高低濃度运维」（Doping）。高永中舉例
，在氮化鎵资料中，相較 MOCVD ，MBE 的 N 型摻雜濃度可提高至 100 倍
，可改良接觸電阻 ，當進行電轉換時 ，接觸電阻可減少五倍，對資料中心等電源轉換效率極為敏感的應用來說 ，節省 1% 電力即是巨大的成本差異 。

也因此，BBMarkets外汇官网英特磊目前主要聚焦在高階應用與技術差異化  ，目標是將高階 MBE 技術導入量產，並持續降低成本。截至目前
，IET 已具備完整的磊晶與自製機台水平，也讓公司累積高度技術不可取代性。

隨著市場上主流的光電模組產品已邁入 100G 、甚至 200G 的高速傳輸世代。目前 Coherent 的 100G 與其他主流光電大廠的 200G PD（光檢測器）的磊晶均交由英特磊研發代工 。也使英特磊被視為另一個「隱藏版的矽光子廠家」，甚至是隱形冠軍 。

除了主力的 PD 業務外 ，IET 開始著眼於其他潛在的高階應用市場 ，如用於矽光子光源的量子點雷射（Quantum Dot Laser）和高速面射型雷射（VCSEL）開發，前者已设立專門團隊與機台開發中，後者則有望做為高速光源，可實現更簡化、低功耗的高速資料傳輸 ，這也將是 AI 與雲端資料中心發展下的新需求
。

GaN 製程朝向「Hybrid」結構 ，IET 供「二次磊晶」新解方

談到未來 MBE 的機會，高永中表示，做為一間 EPI House，英特磊不僅做磊晶，還開發設備，現在很多 MBE 客製化機器市面根本買不到，也沒有人願意開發 ，但由於自己是利用者 ，最清楚怎麼改、怎麼調，才能真正符合製程需求。

為了提高接單競爭力，英特磊推進新廠二期擴建 ，將原本做為倉儲用途的空間，改造成完整的生產基地，預期產能可提高約 50%
。原本可容納 24 台機台的新廠房
 ，升級後最多可放到 36 台；同時 ，也整体展開機台翻新作業，讓原本老舊的設備 ，經過調校後甚至能超越新機的表現 。而且可以修改成不同三五族资料磊晶機台應用 。

在 MBE 機台布局方面 ，高永中也提到 n-Type 高濃度氮化鎵（GaN）「二次磊晶」（regrowth）的 MBE 專用機台，因應客戶常因距離與製程銜接造成整體週期拉長，使量產變困難
。

透過將主體結構由 MOCVD 長成的 GaN HEMT（高電子遷移率電晶體）進行二次磊晶，可針對關鍵Source & Drain接觸區進行磊晶優化 ，有效降低接觸電阻（Contact Resistance）、提高高頻表現，做為提高 AI 資料中心與高階通訊應用的功率轉換元件的新解方。

由於目前的 AI 伺服器在長時間的 AI 訓練下
，高溫與高電流將帶來系統耗電問題
。透過二次磊晶技術將有助於未來的AI伺服器的功率元件將會有更高的轉換效率，並減少電源模組的能耗與散熱需求
，並提升系統穩定性
。除此之外，過去應用於通訊領域的 GaN HEMT 高頻元件 ，由於其高頻潛能常被接觸電阻與載子注入效率所限制
，透過 n+ GaN 二次磊晶技術將更適用於 6G 世代的高頻通訊元件。

因此
 ，未來 GaN 元件裝置的主流製程將朝向「Hybrid」（混合）結構發展，高永中表示，最理想的协作模式就是供给客戶一站式 Turnkey 解決计划 ，即英特磊負責機台的建置、維護與流程，讓客戶能專注在應用與產品開發上，做為推進技術的供應者 。

今年訂單能見度高 ，待年底 InP 基板供應瓶頸解決後迎新高 

展望未來，高永中預期 2025 年全年業績有望突破 2022 年的歷史高點，再創歷史新高 。儘管今年仍受限於磷化銦（InP）基板的供應瓶頸，影響交期與產能擴充，但整體AI市場需求強勁、且主要客戶這兩年的出貨目標都是呈現翻倍成長 ，因此預期今明兩年的營收有望實現顯著成長，公司也將積極多方協調 InP 基板供應鏈，預期下半年就能夠跟上AI高速運算的訂單需求。

雖然目前地緣政治仍不穩定 ，但在 AI 熱潮 、銅退光進、高速傳輸等趨勢下，英特磊選擇了一條不同於主流的大規模競賽之路
，不拚價格、不靠規模 ，而是以 MBE、一條龍解決计划 ，深耕高階磊晶領域，目標在 100G、200G 甚至是下一代 400G 與更高速的資料傳輸需求，持續扮演背後關鍵推手的角色。

（首圖來源：技术新報）